元器件檢測方法及失效分析主要步驟介紹

日期:2021-09-08 15:40:00 瀏覽量:2443 標簽: 元器件檢測 失效分析

一般把電子元器件的故障都稱謂失效,知曉元器件的失效模式和失效機理以及設(shè)備故障的機理對于診斷設(shè)備故障,保持設(shè)備固有的可靠性是十分重要的事情。元器件失效分析的目的不僅在于判斷失效性質(zhì)和明確失效原因,更重要的還在于為積極預(yù)防重復(fù)失效找到有效途徑。下面就一起來看看元器件檢測方法及失效分析主要步驟介紹。

失效分析主要步驟:

芯片開封/開蓋:去除IC封膠,同時保持芯片功能的完整無損,保持 die,bond pads,bond wires乃至lead-frame不受損傷,為下一步芯片失效分析實驗做準備。

SEM 掃描電鏡/EDX成分分析:包括材料結(jié)構(gòu)分析/缺陷觀察、元素組成常規(guī)微區(qū)分析、精確測量元器件尺寸等等。

探針測試:以微探針快捷方便地獲取IC內(nèi)部電信號。

鐳射切割:以微激光束切斷線路或芯片上層特定區(qū)域。

EMMI偵測:EMMI微光顯微鏡是一種效率極高的失效分錯析工具,提供高靈敏度非破壞性的故障定位方式,可偵測和定位非常微弱的發(fā)光(可見光及近紅外光),由此捕捉各種元件缺陷或異常所產(chǎn)生的漏電流可見光。

OBIRCH應(yīng)用(鐳射光束誘發(fā)阻抗值變化測試):OBIRCH常用于芯片內(nèi)部高阻抗及低阻抗分析,線路漏電路徑分析。利用OBIRCH方法,可以有效地對電路中缺陷定位,如線條中的空洞、通孔下的空洞。通孔底部高阻區(qū)等,也能有效的檢測短路或漏電,是發(fā)光顯微技術(shù)的有力補充。LG液晶熱點偵測:利用液晶感測到IC漏電處分子排列重組,在顯微鏡下呈現(xiàn)出不同于其它區(qū)域的斑狀影像,找尋在實際分析中困擾設(shè)計人員的漏電區(qū)域(超過10mA之故障點)。

定點/非定點芯片研磨:移除植于液晶驅(qū)動芯片 Pad上的金凸塊, 保持Pad完好無損,以利后續(xù)分析或rebonding。

X-Ray 無損偵測:檢測IC封裝中的各種缺陷如層剝離、爆裂、空洞以及打線的完整性,PCB制程中可能存在的缺陷如對齊不良或橋接,開路、短路或不正常連接的缺陷,封裝中的錫球完整性。

SAM (SAT)超聲波探傷:可對IC封裝內(nèi)部結(jié)構(gòu)進行非破壞性檢測, 有效檢出因水氣或熱能所造成的各種破壞如:.晶元面脫層,.錫球、晶元或填膠中的裂縫,.封裝材料內(nèi)部的氣孔,.各種孔洞如晶元接合面、錫球、填膠等處的孔洞。

元器件檢測方法及失效分析主要步驟介紹

元器件檢測方法:

1.C-SAM(超聲波掃描顯微鏡),無損檢查:1.材料內(nèi)部的晶格結(jié)構(gòu),雜質(zhì)顆粒.夾雜物.沉淀物.2. 內(nèi)部裂紋. 3.分層缺陷.4.空洞,氣泡,空隙等。

2.X-Ray(這兩者是芯片發(fā)生失效后首先使用的非破壞性分析手段)

微焦點Xray用途:半導(dǎo)體BGA,線路板等內(nèi)部位移的分析 ;利于判別空焊,虛焊等BGA焊接缺陷. 參數(shù):標準檢測分辨率<500納米 ;幾何放大倍數(shù): 2000 倍 最大放大倍數(shù): 10000倍 ; 輻射小: 每小時低于1 μSv ;電壓: 160 KV, 開放式射線管設(shè)計。防碰撞設(shè)計;BGA和SMT(QFP)自動分析軟件,空隙計算軟件,通用缺陷自動識別軟件和視頻記錄。這些特點非常適合進行各種二維檢測和三維微焦點計算機斷層掃描(μCT)應(yīng)用。

3.SEM掃描電鏡/EDX能量彌散X光儀(材料結(jié)構(gòu)分析/缺陷觀察,元素組成常規(guī)微區(qū)分析,精確測量元器件尺寸)

4.EMMI微光顯微鏡/OBIRCH鐳射光束誘發(fā)阻抗值變化測試/LC 液晶熱點偵測(這三者屬于常用漏電流路徑分析手段,尋找發(fā)熱點,LC要借助探針臺,示波器)

5.FIB 線路修改,切線連線,切點觀測,TEM制樣,精密厚度測量等

6.Probe Station 探針臺/Probing Test 探針測試,ESD/Latch-up靜電放電/閂鎖效用測試(有些客戶是在芯片流入客戶端之前就進行這兩項可靠度測試,有些客戶是失效發(fā)生后才想到要篩取良片送驗)這些已經(jīng)提到了多數(shù)常用手段。失效分析前還有一些必要的樣品處理過程。

7.取die,decap(開封,開帽),研磨,去金球 De-gold bump,去層,染色等,有些也需要相應(yīng)的儀器機臺,SEM可以查看die表面,SAM以及X-Ray觀察封裝內(nèi)部情況以及分層失效。

除了常用手段之外還有其他一些失效分析手段,原子力顯微鏡AFM ,二次離子質(zhì)譜 SIMS,飛行時間質(zhì)譜TOF - SIMS ,透射電鏡TEM , 場發(fā)射電鏡,場發(fā)射掃描俄歇探針, X 光電子能譜XPS ,L-I-V測試系統(tǒng),能量損失 X 光微區(qū)分析系統(tǒng)等很多手段,不過這些項目不是很常用。

以上便是此次創(chuàng)芯檢測帶來的“元器件檢測方法及失效分析主要步驟”相關(guān)內(nèi)容,通過本文,希望能對大家有所幫助。如果您喜歡本文,不妨持續(xù)關(guān)注我們網(wǎng)站,我們將于后期帶來更多精彩內(nèi)容。如您有任何電子產(chǎn)品檢驗測試的相關(guān)需求,歡迎致電創(chuàng)芯檢測,我們將竭誠為您服務(wù)。

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