近日，華為傳來好消息，經(jīng)過技術人員的不懈努力，華為在芯片檢測技術上取得進展，并公開了“一種檢測芯片裂縫的裝置”專利，公開號為 CN113748495A。
據(jù)介紹，該裝置包括：功能電路 (110) 以及位于功能電路 (110) 周圍的裂片檢測模塊 (120)。其中，裂片檢測模塊 (120) 包括前道器件層 (121) 和設置在前道器件層 (121) 上的層狀結構 (122)，層狀結構 (122) 中形成有導線 (L)，前道器件層 (121) 中形成有一個或多個第一電容 (C1)。導線 (L) 的第一端用于連接電源正極，導線 (L) 的第二端用于連接電源負極，第一電容 (C1) 并聯(lián)在導線 (L) 的第一端與導線 (L) 的第二端之間，導線 (L) 的第一端與第二端之間設置有檢測接口，檢測接口用于檢測該芯片是否發(fā)生裂片。
據(jù)最新消息顯示，華為近期還公開了兩項芯片方面的專利，分別是9月28日的“封裝芯片及封裝芯片的制作方法”以及11月26日的“芯片封裝組件，電子設備及芯片封裝組件的制作方法?！?/p>
根據(jù)專利草圖顯示，華為通過設置芯片與封裝基板的上導電層以及下導電層連接，從而芯片產(chǎn)生的熱量可進行雙向傳導散熱，并在上導電層上設置散熱部，使得芯片封裝組件能夠達到更優(yōu)的散熱效果。 之前有爆料過3D封裝、異構等模式，都是在這個封裝工藝范圍之內(nèi)。雖然現(xiàn)在還無法確定能否真的實現(xiàn)，但至少華為正在這個方向上做努力。
不得不說，這兩個芯片專利都和芯片制造領域中的封裝技術相關聯(lián)，這也意味著華為在芯片制造技術領域正在不斷地加速研發(fā)投入，畢竟整個芯片產(chǎn)業(yè)鏈中，包含了芯片設計、芯片制造以及封裝，可以說技術學問是非常的多，根據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露，這次華為對外公開的芯片技術專利，和此前曝光的“華為雙芯疊加”相關，包含了3D封裝、異構等等都在這個專利范圍之內(nèi)。
