現(xiàn)代5G、車聯(lián)網(wǎng)等技術(shù)的飛速發(fā)展，信號(hào)的傳輸速度越來越快，集成電路芯片的供電電壓隨之越來越小。早期芯片的供電通常是5V和3.3V，而現(xiàn)在高速IC的供電電壓已經(jīng)到了2.5V、1.8V或1.5V，有的芯片的核電壓甚至到了1V。芯片的供電電壓越小，電壓波動(dòng)的容忍度也變得越苛刻。芯片該怎么測量電壓呢?
1、如果壞的話最常見的也是擊穿損壞，你可以用萬用表測量一下芯片的供電端對地的電阻或電壓，一般如果在幾十歐姆之內(nèi)或供電電壓比正常值低，大部分可以視為擊穿損壞了，可以斷開供電端，單獨(dú)測量一下供電是否正常。如果測得的電阻較大，那很可能是其他端口損壞，也可以逐一測量一下其他端口。看是否有對地短路的端口。
2、專門具有檢測IC的儀器，萬用表沒有這個(gè)能力。一般使用萬用表都是檢測使用時(shí)的引腳電壓做大約的判斷，沒有可靠性。并且是在對于這款I(lǐng)C極其熟悉條件下做判斷。
_20211220171943_132.jpg "電壓測試芯片:低壓檢測復(fù)位IC工作原理")
當(dāng)內(nèi)建的低電壓復(fù)位電路的電壓與應(yīng)用規(guī)格不同時(shí)，可選用外部低電壓檢測IC 的復(fù)位電路。
? 可提供低電壓復(fù)位功能，需配合外部簡易型RC 復(fù)位電路或高抗干擾RC 復(fù)位電路來達(dá)到完整的復(fù)位功能。
? RRES、CRES、RN 和CN 的建議數(shù)值與簡易型RC 復(fù)位電路及高抗干擾RC 復(fù)位電路相同。
? CRES(針對簡易型RC 復(fù)位電路)和CN(針對高抗干擾RC 復(fù)位電路)在PCB 板上的位置及布線要求與簡易型RC復(fù)位電路及高抗干擾RC 復(fù)位電路相同。
內(nèi)部POR 電路和內(nèi)部低電壓復(fù)位電路
? 為加強(qiáng)MCU 的保護(hù)完整性，并簡化外部應(yīng)用電路設(shè)計(jì)及成本，在MCU 內(nèi)部提供有上電復(fù)位(POR)電路和低電壓復(fù)位(LVR)電路。
? POR 電路主要是內(nèi)建一組低RC 時(shí)間常數(shù)的復(fù)位電路，具有上電時(shí)產(chǎn)生復(fù)位的功能。其對MCU 內(nèi)部的初始化動(dòng)作，除了TO 和PDF 旗標(biāo)被清為“0”之外，其余的狀態(tài)均與RES 復(fù)位相同。當(dāng)使用此復(fù)位功能時(shí)，因POR 時(shí)間常數(shù)較小，為了使POR 可以正常動(dòng)作，電源上升速度應(yīng)盡量要求快速。
? LVR 電路主要功能是當(dāng)VDD 小于特定電壓(視規(guī)格而定)，且持續(xù)時(shí)間大于1ms 時(shí)，LVR 將會(huì)被激活，其對MCU 內(nèi)部的初始化動(dòng)作與RES 復(fù)位相同。
以上便是此次創(chuàng)芯檢測帶來的“IC芯片電源檢測”相關(guān)內(nèi)容，通過本文，希望能對大家有所幫助。如果您喜歡本文，不妨持續(xù)關(guān)注我們網(wǎng)站，我們將于后期帶來更多精彩內(nèi)容。如您有任何電子產(chǎn)品檢驗(yàn)測試的相關(guān)需求，歡迎致電創(chuàng)芯檢測，我們將竭誠為您服務(wù)。
